IBM Labs
Nova metoda punjenja memorijskih čipova na atomskoj razini
IBM-ovi znanstvenici objavili rad koji bi mogao dovesti do boljih, učinkovitijih i štedljivijih čipova.
IBM smatra kako je današnja CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) tehnologija došla do svojih krajnjih granica, te su potrebni novi materijali umjesto silicija kako bi se održao trend smanjivanja potrošnje uz istovremeno povećanje performansi novih čipova.
Njihov znanstveni rad koji je objavljen u publikaciji Science u osnovi se sastoji od zamjene silicija metalnim oksidom u procesorima i memoriji i to na atomskoj razini.
Propuštanjem mlazova ioniziranih tekućih elektrolita kroz okside, IBM može prebacivati taj oksid iz izolatora u provodnik i obrnuto. Taj "trik" omogućuje bacanje logičkih vrata u akciju samo onda kada postoji potreba odnosno neko "događanje", umjesto potrebe za stalnim napajanjem elektricitetom, te bez promjena u tlaku ili u temperaturama koje su upravljale metalnim oksidima u prošlosti.
Drugim riječima ovo bi moglo predstavljati veliki napredak u daljem razvoju "neizbrisive" (nonvolatile - NV) memorije koja može održati pohranjenu informaciju bez napajanja, te je dio IBM-ovog razvoja novih memorijskih rješenja poput MRAM-a.
IBM navodi kako su ovo tek začeci nove tehnologije, tako da ćemo se još morati strpiti neko vrijeme dok se ova tehnologija pojavi na tržištu.
Izvor: IBM Labs
Nova optička tehnologija omogućuje modificiranim LCD-ima izradu slika i videa nalik hologramima.
Kombinacijom grafena i molibdena švicarski znanstvenici žele proizvesti učinkovitiju i savitljivu flash memoriju.
Učitavam komentare ...